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CMOS兼容近红外Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-i-n(SOI)光电探测器(英文)
报道了一种采用 U HV/CVD锗硅工艺和 CMOS工艺流程在 SOI衬底上制作的横向叉指状 Si0 .7Ge0 .3/Si p- i-n光电探测器 .测试结果表......
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